Tuotteen nimi: IRFP460-siru N-kanavatransistori Väri: musta + hopea Materiaali: muovi + metalli Virta: 20 A Jännite: 500 V MOSFET (metalli-oksidipuolijohde-kenttätransistori, lausutaan MAWS-feht) on erityinen kenttätransistori (FET), joka toimii muuttamalla elektronisesti kanavan leveyttä, jota pitkin varauksenkuljettajat (elektronit tai aukot) virtaavat. Mitä kanava, sitä paremmin laite johtaa. Varauksenkuljettajat tulevat kanavaan kohdassa ja poistuvat nielun kautta. Kanavan leveyttä säädetään portiksi kutsutun elektrodin jännitteellä. Portti sijaitsee fyysisesti ja nielun välissä ja on eristetty kanavasta erittäin ohuella metallioksidikerroksella. MOSFET voi toimia kahdella tavalla. Ensimmäinen tunnetaan nimellä tyhjennystila. Kun portilla ei ole jännitettä, kanavan johtavuus on maksimaalinen. Kun portin jännite kasvaa (joko positiivisesti tai negatiivisesti riippuen siitä, onko kanava valmistettu P- vai N-tyyppisestä puolijohdemateriaalista), kanavan johtavuus pienenee. Toinen tapa, jolla MOSFET voi toimia, on nimeltään parannustila. Kun portilla ei ole jännitettä, kanavaa ei käytännössä ole, eikä laite johda. Kanava syntyy, kun porttiin syötetään jännite. Mitä suurempi portin jännite, sitä paremmin laite johtaa. Pakkauksen sisältö: 5 kpl x transistori Huomautus: Valo ja erilaiset näytöt voivat aiheuttaa kuvassa olevan esineen värin poikkeamisen hieman todellisesta. Sallittu mittausvirhe on +/- 1-3 cm.