Tämä on ensimmäinen kirja, joka kuvaa perusteellisesti dopingin monia puolia yhdistelmäpuolijohteissa. Yhtä lailla painotetaan perusmateriaalifysiikkaa ja dopingin teknologisia näkökohtia. Kirjoittaja kuvaa yksityiskohtaisesti kaikkia eri tekniikoita, mukaan lukien doping epitaksiaalisen kasvun aikana, doping implantoimalla ja doping diffuusiolla. Kaikkien IIIâV-puolijohteissa käytettyjen seosaineiden keskeisiä ominaisuuksia käsitellään. Lisäksi analysoidaan seostusaineiden yleisiä ominaisuuksia, mukaan lukien sähköinen aktiivisuussaturaatio, amfoteisuus, automaattinen kompensointi ja suurin saavutettavissa oleva seostuspitoisuus. Myös erittäin seostettujen puolijohteiden ajankohtaisesta aiheesta keskustellaan. Teknologisesti tärkeät syvät tasot on tiivistetty. Syvien tasojen ominaisuudet esitetään fenomenologisesti. Viimeinen luku on omistettu epäpuhtauksien kokeelliselle karakterisointiin. Kieli: englanti